Nama : Aziz
Afriyanto
NPM :
21115203
TUGAS V- Class 2
Jelaskan tentang daerah kerja
transistor :
a.
cut off
b.
saturasi
c.
aktif
a.
Cut Off
Daerah cut off merupakan daerah
kerja transistor dimana keadaan transistor menyumbat pada hubungan kolektor –
emitor. Daerah cut off sering dinamakan sebagai daerah mati karena pada daerah
kerja ini transistor tidak dapat mengalirkan arus dari kolektor ke emitor. Pada
daerah cut off transistor dapat di analogikan sebagai saklar terbuka pada hubungan
kolektor – emitor.
Titik cut-off transistor adalah
titik dimana transistor tidak menghantarkan arus dari kolektro ke emitor, atau
titik dimana transistor dalam keadaan menyumbat. Pada titik ini tidak ada arus
yang mengalir dari kolektor ke emitor. Titik Cutoff didefinisikan juga sebagai
keadaan dimana IE = 0 dan IC = ICO, dan diketahui bahwa bias mundur VBE.sat =
0,1 V (0 V) akan membuat transistor germanium (silikon) memasuki daerah cutoff.
Titik cut-off transistor ini dapat dianalogikan sebagai saklar dalam kondisi
terbuka (Off).
Titik Cut-Off Transistor Adalah
Transistor Dalam Kondisi Off (Saklar Terbuka).
Titik cut-off transistor terjadi
pada saat transistor tidak mendapat bias pada basis, sehingga transistor tidak
konduk atau mengalirkan arus dari kolektor ke emitor. Titik cut-off transistor
ini memiliki VCE yang maksimum yaitu mendekati VCC seperti ditunjunkan pada
grafik titik cut-off pada garis beban transistor berikut.
Grafik
Titik Cut-Off Pada Garis Beban Transistor
:
Short-Circuited Base
Andaikan bahwa basis dihubungkan
langsung ke emitor sehingga VE = VBE = 0. Maka, IC ≡ ICES tidak akan naik
melebihi nilai arus cutoff ICO.
Open-Circuited Base
Jika basis dibiarkan “mengambang”
(tidak dihubungkan ke manapun) sehingga IB = 0, didapatkan bahwa IC ≡ ICEO.
Pada arus rendah α ≈ 0,9 (0) untuk germanium (silikon), dan dengan demikian IC
≈10 ICO(ICO) untuk Ge (Si). Nilai VBE untuk kondisi open-base ini (IC = -IE)
adalah sepersepuluhan milivolt berupa bias maju.
Cutin Voltage
Karakteristik volt-amper antara
basis dan emitor pada tegangan kolektor-emitor konstan tidak serupa dengan
karakteristirk volt-amper junction dioda sederhana. Jika junction emitor
mendapat bias mundur, arus basis menjadi sangat kecil, dalam orde nanoamper
atau mikroamper, masing-masing untuk silikon dan germanium. Jika junction
emitor diberi bias maju, seperti pada dioda sederhana, tidak terdapat arus
basis hingga junction emitor mendapat bias maju sebesar |VBE| > |Vγ|, dengan
Vγ adalah tegangan cutin (cutin voltage). Karena arus kolektor secara nominal
proportional terhadap arus basis, maka pada kolektorpun tidak terdapat arus,
hingga terdapat arus pada basis. Oleh karena itu, plot arus kolektor terhadap
tegangan basis-emitor akan memperlihatkan tegangan cutin, seperti halnya pada
dioda.
Besarnya tegangan antara kolektor
dan emitor transistor pada kondisi mati atau cut off adalah :
Karena kondisi mati Ic = 0
(transistor ideal) maka:
Besar arus basis Ib adalah
b.
Saturasi
Daerah kerja transistor Saturasi adalah
keadaan dimana transistor mengalirkan arus secara maksimum dari kolektor ke
emitor sehingga transistor tersebut seolah-olah short pada hubungan kolektor –
emitor. Pada daerah ini transistor dikatakan menghantar maksimum (sambungan CE
terhubung maksimum).
Saturasi terjadi saat tegangan VCE =
0, artinya tidak ada jatuh tegangan yang terjadi di VCE, atau dengan kata lain
kita dapat mengatakan IC mendapatkan hasil maksimumnya.
Untuk rangkaian seperti diatas dapat
menemukan IC yaitu IC=VCC/(RC+RE).
Besarnya tegangan kolektor emitor
Vce suatu transistor pada konfigurasi diatas dapat diketahui sebagai berikut.
Karena kondisi jenuh Vce = 0V
(transistor ideal) maka besarnya arus kolektor (Ic) adalah :
Besarnya arus yang mengalir agar
transistor menjadi jenuh (saturasi) adalah:
Sehingga besar arus basis Ib jenuh
adalah :
c.
Aktif
Pada daerah kerja ini transistor
biasanya digunakan sebagai penguat sinyal. Transistor dikatakan bekerja pada
daerah aktif karena transistor selelu mengalirkan arus dari kolektor ke emitor
walaupun tidak dalam proses penguatan sinyal, hal ini ditujukan untuk
menghasilkan sinyal keluaran yang tidak cacat. Daerah aktif terletak antara
daerah jenuh (saturasi) dan daerah mati (Cut off).
Kondisi aktif adalah dimana transistor
mengalirkan arus listrik dari kolektor ke emitor walau tidak dalam kondisi atau
proses penguatan sinyal, hal ini akan bisa kita lihat jika kita mengukur sinyal
yang keluar dari transistor tersebut tidak cacat bentuknya, misalnya berbentuk
sinyal sinus, kotak, segitiga dan lain-lain tanpa cacat. Kemudian kondisi jenuh
adalah dimana kondisi transistor ketika Vce = 0 volt sampai 0.7 volt, ini
untuk jenis transistor silikon. Daerah aktif terjadi bila sambungan emiter
diberi bias maju dan sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah aktif
arus kolektor sebanding dengan arus basis. Penguatan sinyal masukan menjadi
sinyal keluaran terjadi pada daerah aktif.
Semua titik operasi antara titik
sumbat dan penjenuhan adalah daerah aktif dari transistor. Dalam daerah aktif,
dioda emiter dibias forward dan dioda kolektor dibias reverse. Perpotongan dari
arus basis dan garis beban adalah titik stationer (quiescent) Q seperti dalam
gambar. daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana
arus IC konstan terhadap berapapun nilai Vce. Pada daerah aktif arus kolektor
sebanding dengan arus basis. Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran
terjadi pada daerah aktif.
jika hukum kirchoff mengenai
tegangan dan arus diterapkan pada loop kolektor ( rangkaian CE ), maka dapat
diperoleh hubungan :
VCE = VCC – IC RC
dapat dihitung dissipasi daya
transistor adalah :
PD = VCE . IC
dissipasi daya ini berupa panas yang
menyebabkan naiknya temperatur transistor. Umumnya untuk transistor power
sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi Pdmax. Spesifikasi ini menunjukkan
termperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja
normal. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya Pdmax, maka
transistor dapat rusak atau terbakar.
Komentar
Posting Komentar